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作為ON 安森美公司小功率開(kāi)關(guān)電源芯片的杰出代表，NCP1030，集成了可承受200V電壓的MOS管，開(kāi)創(chuàng)了小功率開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品的一個(gè)新時(shí)代。下面對(duì)NCP1030的調(diào)試心得和經(jīng)驗(yàn)注意事項(xiàng)做分享，如下：

NCP1030 ,單端反激，多路輸出。

開(kāi)關(guān)管關(guān)斷瞬間，VDS電壓波形有尖峰毛刺，次尖峰毛刺是漏感和Cds諧振導(dǎo)致，減小此尖峰毛刺的辦法有：

第一，從根本上減小，降低變壓器的漏感，方法有三明治繞法，以及盡量少開(kāi)氣隙，但是少開(kāi)氣息，可能會(huì)導(dǎo)致磁芯發(fā)熱乃至飽和，降低電源效率。

第二，外部處理，采用RCD吸收電路。將其尖峰毛刺減小，這樣回報(bào)尖峰毛刺的能量轉(zhuǎn)移到R上，以熱量形式釋放。此方法與減小開(kāi)氣息相比，都產(chǎn)生熱，一個(gè)是磁芯發(fā)熱，一個(gè)是電阻發(fā)熱。都降低了電源的效率，用效率換取EMC性能。

第三，尖峰脈沖對(duì)輸出電路的噪聲幾乎不產(chǎn)生影響，尖峰脈沖很高，輸出端噪聲水平幾乎不變化。尖峰脈沖對(duì)MOS管有影響，MOS管的VDS可承受的電壓，不能高于其尖峰脈沖電壓，同時(shí)尖峰脈沖影響電路的EMC 性能。

第四，輸出端噪聲水平，取決于哪些因素呢？取決于電容是否是高頻電容，是否是鉭電容，取決于接地線是否短而粗。

第五，若采用RCD吸收，在電感量為240uH時(shí)，R的值至少是4.99K，C的值是200-300pF，D選用1N4148是可以的。此時(shí)大約降低了5%。

第六，R始終是一個(gè)死負(fù)載，R值太小，會(huì)導(dǎo)致電源效率過(guò)低，R應(yīng)適當(dāng)選大一些。

以上六點(diǎn)就是NCP1030調(diào)試心得和注意事項(xiàng)分享，歡迎討論交流，批評(píng)指正。